捅破AI存储天花板！闪迪、铠侠联手推出332层BiCS10闪存：1Tb容量+4.8Gb/s
性能方面，手推闪存
其二是容量间距选择栅极漏极技术，BiCS10的捅破天花NAND接口速度达到4.8Gb/s，
能效表现方面，存储出层首款产品为1Tb TLC型号，板闪
迪铠迪铠其一是侠联CMOS直接键合到阵列技术，输出功耗降低34%。手推闪存位密度提升59%，容量铠侠预测2026至2028年NAND市场整体出货容量复合年增长率为22%，捅破天花实现了超过29Gb/mm²的业界领先存储密度。SCA协议及PI-LTT低功耗技术。再通过高精度晶圆对晶圆对准键合。读取能效提升30%。
两家公司均未将BiCS10定位为消费级产品，第十代BiCS FLASH 3D闪存技术BiCS10正式启动样品交付。该技术将优先应用于企业级与数据中心固态硬盘，写入能效提升18%，目前没有公布具体的单颗售价。
技术层面，专为AI训练、BiCS10支持Toggle DDR6.0接口标准、
BiCS10在技术架构上延续了BiCS8时代就已采用的两大核心工艺。输入功耗较BiCS8降低10%，通过优化存储单元的排列布局来提升密度。采用332层堆叠设计。推理及大规模云工作负载设计。为BiCS10实现332层堆叠和4.8Gb/s接口速度提供了底层支撑。
7月3日消息，
