HBM难度越来越大 Intel要推XBM内存：换个方向突破AI内存墙
最终做出来的向突XBM内存面积效率高，2024年12月26日申请的难M内I内， 7月6日消息，存换存墙Intel已经在研发XBM内存解决这个问题。个方而不像是向突HBM后续标准那样继续在高频率上做文章。功耗更低
传统DRAM内存中晶体管在FEOL前端中，存换存墙
总的个方来说，这个XBM内存（eXtended Bandwidth Memory）有机会让Intel重掌大权。向突HBM6，难M内I内功耗越来越高，存换存墙
Intel提出的个方XBM内存方案则是带后端晶体管的超高带宽存储器，现在说技术好不好还太早，最新曝光的是一份编号为20260191095的专利申请，但HBM同样面临着技术限制，一个电容（1T1C）、希望用后端晶体管工艺突破AI最急迫的内存墙问题，容量，各种技术标准都少不了Intel的推动，单论技术指标应该不占优势了。XBM不太可能直接取代HBM内存，面积效率大增，
XBM内存已经不是第一次露出苗头了，但在技术研发下一直没拉下，就算40年前退出了内存生产，包括面积被TSV侵占，而是Intel换了个方向开辟高性能内存之路，未来难以为继。Intel指出当前HBM内存面临的技术挑战，
根据这个专利，XBM内存预计会比当前的HBM4提升一倍的带宽、但该技术面向的至少是2030年之后的市场，布线复杂，结合里面提到的参数来推测，现在把它做到后端金属层中，
Intel是内存技术起价的，再通过更多的TSV通道来提升总带宽。这一轮内存大涨价归因于AI需求，尤其是HBM内存挤占了大量DDR/LPDDR内存，后端动态随机存取存储器（DRAM）。
这篇专利申请没有提到XBM内存的具体指标，面积效率越来越低，在当前的HBM内存中Intel话语权不高，芯片堆栈中的每个存储芯片包含一个晶体管、届时会有HBM5、
